Advanced Deposition Materials (ADM) ALD/CVD Precursors
- 75-76-3
- Si(CH3)4
- テトラメチルシラン
- 半導体
- 13465-77-5
- Cl6Si2
- ヘキサクロロジシラン
- 半導体
- 3275-24-9
- C8H24N4Ti
- テトラキス(ジメチルアミド)チタン
- 半導体
- フラットパネルディスプレイ
- 13499-05-3
- HfCl4
- 四塩化ハフニウム
- 半導体
- 150-46-9
- C6H15BO3
- ホウ酸トリエチル
- 半導体
- 78-10-4
- SiC8H20O4
- オルトケイ酸テトラエチル
- 半導体
- 121-43-7
- C3H9BO3
- ホウ酸トリメチル
- 半導体
- 78-40-0
- C6H15O4P
- リン酸トリエチル
- 半導体
- 121-45-9
- C3H9O3/P
- 亜リン酸トリメチル
- 半導体